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INFINEON |
IMW120R030M1H是采用TO247-3封装的1200 V、30 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET,它基于的沟槽半导体工艺,该工艺经过优化,兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统硅(Si)基开关相比,SiC MOSFET具有诸多优势,例如1200V级开关中低的栅极电荷和器件电容电平、抗换向体二极管无反向恢复损耗、 立于温度的低开关损耗以及无阈值导通特性。因此,CoolSiC™ MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构,如功率因素校正(PFC)电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。
特征描述
深圳市强能电子有限公司 | |||
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联系人 | 阳旭 |
微信 | szqn17620337069 |
手机 | | 邮箱 | 35341498@qq.com |
传真 | 无 | 地址 | 深圳市坪山区坑梓街道金沙社区梓横西路49号综合楼408 |
主营产品 | IGBT单管,集成电路,碳化硅(SIC) | 网址 | http://john23088.b2b.huangye88.com/ |