深圳市强能电子有限公司

IGBT单管,集成电路,碳化硅(SIC)

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IKW75N65EH5英飞凌IGBT管75A650V

发布者:阳旭 | 来源:深圳市强能电子有限公司发布时间:2023-07-28
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INFINEON
   

高速 650 V、硬开关 IGBT TRENCHSTOP™ 5 可与 TO-247 封装中 RAPID 1 快速和软反并联二极管共同封装,被定义为“同类佳”IGBT。

特征描述

  • 650V 击穿电压

  • 对比英飞凌业界的“HighSpeed 3”系列

  • Qg 系数降低 2.5 倍

  • 开关损耗系数降低 2 倍

  • V CE (sat) 减少了 200mV

  • 采用英飞凌极速硅二极管技术

  • 低 C OES/E OSS

  • 温和正温度系数 V CE (sat)

  • V的温度稳定


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联系人 阳旭
微信 szqn17620337069
手机 򈊡򈊧򈊦򈊢򈊠򈊣򈊣򈊧򈊠򈊦򈊩 邮箱 35341498@qq.com
传真 地址 深圳市坪山区坑梓街道金沙社区梓横西路49号综合楼408
主营产品 IGBT单管,集成电路,碳化硅(SIC) 网址 http://john23088.b2b.huangye88.com/
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